STP65N045M9(650V）

是基于最创新的超结MDmesh M9技术，适用于中/高压MOSFET，具有非常低的RDS(on)每个区域。基于硅的M9技术受益于多漏制造工艺，允许增强设备结构。在所有基于硅基的快速开关超结功率mosfet中，由此产生的产品具有较低的导通电阻和较低的栅极电荷值，使其特别适用于需要卓越功率密度和效率的应用。

STP60N043DM9(600V)

是基于最创新的超结MDmesh DM9技术，同样适用于中/高压MOSFET，具有非常低的RDS(on)每个区域加上一个快速恢复二极管。基于硅的DM9技术受益于多漏制造工艺，允许增强设备结构。快速恢复二极管具有非常低的恢复电荷(Qrr)，时间(trr)和RDS(on)，使这种快速开关超结功率MOSFET为最要求的高效率桥式拓扑和ZVS移相变换器定制。

两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻(RDS(on)max)都处于同类领先水平，STP65N045M9 为 45mΩ，STP60N043DM9 为 43mΩ。由于栅极电荷 (Qg)非常低，在 400V 漏极电压时通常为 80nC，两款器件都具有目前市场上一流的RDS(on)max x Qg品质因数 (FoM)。

意法半导体最新的高压 MDmesh 技术的另一个特点是增加了一道铂扩散工艺，确保本征体二极管开关速度快。该二极管恢复斜率(dv/dt) 峰值高于早期工艺。MDmesh DM9全系产品具有非常高的鲁棒性，在 400V电压时可耐受高达 120V/ns 的dv/dt斜率

应用场景：设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)等

意法半导体的新 MDmesh M9 和 DM9 产品STP65N045M9和STP60N043DM9 均采用 TO-220 功率封装，现已投产，2022 年第二季度末代理商开始铺货销售。2022 年底前还将增加标准的贴装和通孔封装。